技術領域

用於半導體產業的等離子體系統

在晶圓加工和設備包裝過程中,PVA TePla等離子系統可在相應的加工步驟後去除殘留的雜質和有機層(如:光阻),並且不會損害新生設備。 此項技術最大限度地保證了我們的客戶在生產半導體裝置過程中可獲得最佳產量。

  • 後端系統

    PVA TePla可以為同時具有多個料倉的等離子製程提供批量處理系統,又或是自動系統。 在自動系統中,條帶從料倉中以多條軌道平行裝入腔室內並進行處理,然後根據首選的實施方式,再將條帶裝回料倉中。 等離子表面處理工藝在眾多行業及領域中廣泛使用,其清洗和活化功能的應用範圍非常廣泛,範圍涵蓋從打線、BGA、倒裝片工藝,一直到模具底部填充和成品元件封裝。


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    批量包裝系統    條形系統

     

  • 前端系统

    前端系統是指具有手動或自動裝載功能的等離子系統,它既可以作為具有高成本效益的批量處理系統,也可以作為單層系統,滿足更苛刻的工藝效果要求。 PVA TePla系統被廣泛應用於晶圓製造的微影技術,去除光阻或為後續步驟準備晶圓,以便用於進一步製作積體電路或太陽能電池等方面。


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    批量晶圓系統  單一晶片系統

     

表面清洗

  • 光阻工藝

    去除光阻,又被稱為 “剝離”或 “灰化”,是廣泛應用於半導體元件、MEMS或光電元件製造過程中的一種工藝。 目前等離子清洗設備多採用微波激發等離子製程。 微波激發等離子體製程既能實現更高的去膠效率,又能對敏感的C-MOS元件保持最低程度的損害,可用於光阻的完全灰化和部分去除(去殘膠或閃光工藝 ),作為後續製程步驟前的預處理。 

    根據元件的特性和成本效益要求,此製程可實現的批量大小為50片晶圓,每次運行最多可容納25片直徑為200毫米的晶圓。 批量處理的優點在於具有最大化的成本效益,並且能夠同時去除晶圓兩面的塗料。 此外,我們的系統能夠在不超過預設最高溫度的情況下以溫度控制的方式進行加工。

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    針對要求較高的應用領域,我們可提供單層系統,其晶圓尺寸可達300毫米。 單層系統製程可實現更精準的控制,最大限度地優化去膠率、均勻性和終點檢測結果。

    大多數工藝均以氧氣工藝為基礎,而部分工藝則採用了特殊添加氣體(註:行業內稱之為“電子特氣”),具體取決於被加工材料的要求。 針對易氧化的敏感層,可選擇氫氣工藝,以防止暴露層的氧化。 

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  • 用於粘合的等離子體工藝

    PVA TePla特殊的清洗製程被廣泛應用於打線或元件鑄造前,用於倒裝晶片元件底部填充前的清洗,以便去除表面氧化層以及實現表面活化。 根據不同的應用類型,我們使用不同類型的等離子體激發和系統配置。 對於大規模生產,我們主要使用手動裝載系統,這是因為手動裝載系統既設計簡單,又具有高產量效果,可實現最大的成本效益。

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    針對提高生產效率及品質,透過等離子體製程進行表面修整是當今半導體產業最常見方式之一。 特別是在打線前,由於製造晶片對銅線的要求越來越高,在晶片和引線框上通過等離子體清洗焊線表面現在是一個必不可少的過程,這一過程可確保晶片製造的 高產量。 PVA對產品品質和生產溯源有高度的要求,為此,我們研發了自動裝載系統。

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