垂直梯度凝固工艺（VGF）
VGF系统专为制成缺陷密度最小的单晶化合物半导体晶体，以及生产用于光电学（LED和激光系统）、半导体材料及技术、高频技术、太阳能技术和电信技术等高科技行业所需的砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和磷化镓（GaP）晶体而量身打造。VGF垂直梯度凝固法，又被称为“定向凝固法”或“布里奇曼晶体生长法”，是晶体生长主要方法之一，可用于研发部门的技术研发中。
工艺介绍
将多晶原料装入底部带有籽晶的坩埚中，通过电阻加热器对原料进行加热使其熔化。设置温度区，以便原料可优先在坩埚中熔化，籽晶也会部分熔化。然后相对于坩埚，对温度区进行移动，既可以通过机械方式移动坩埚/加热器，又可以通过控制不同加热器元件来改变温度区。熔体最开始会在较低的区域逐渐冷却，随着熔体结晶，晶体在坩埚中开始生长。受热区缓慢向上移动，这意味着凝固前沿也缓慢向上移动。结晶速度取决于温度区移动的速度。
VGF垂直梯度凝固法可用于工业生产砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和磷化镓（GaP）等晶体，生产的晶体可被光电学（LED和激光系统）、半导体技术、高频技术、太阳能技术和电信技术等多个高科技行业广泛应用。
应用
PVA TePla模块化的Kronos系统，可帮助工业公司高效生产复合半导体晶体，如：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、锗和氟化钙（CaF2）。
PVA MultiCrystallizer系统，专为制取光伏行业所必需的多晶硅锭而量身打造