直拉法工艺 (Cz)
直拉法工艺（Cz），又被称为“晶体提拉法”或“提拉法”，是半导体晶体生长的主要方法。在该过程中，硅（Si）首先被熔化，然后以可控的方式冻结成结晶状态。直拉工艺的优势在于速度快，可控程度高。如今，使用直拉法工艺（Cz）制备高纯度单晶硅晶体已被广泛应用于太阳能行业及半导体行业（计算机集成电路领域及微系统技术领域）中，例如用于制造集成电路、晶体管、传感器及硅光电池等。此外，直拉法工艺还能帮助客户以高效的速度生产出高品质的晶体。
工艺介绍
首先，将高纯度多晶硅放置在单晶提拉系统中的石英坩埚中，然后使用电阻加热器在可控气氛（氩气）下对多晶硅进行加热熔化。当熔体的温度稳定下来（熔点约为1412℃），就将旋转的单晶硅籽晶插入熔体。轻微的温度下降熔体就会在籽晶上结晶。缓慢向上提拉籽晶，挂在籽晶上的单晶硅棒就会开始形成。调节提拉速度及温度，使硅单晶能够以恒定的直径进行生长（注意：硅单晶的方向及结构与籽晶相同）。
应用
PVA TePla EKZ系列系统专为Cz工艺量身打造，专注于生产出高性能、高品质的硅单晶。