垂直梯度凝固製程（VGF）
VGF系統專為製成缺陷密度最小的單晶化合物半導體晶體，以及生產用於光電學（LED和雷射系統）、半導體材料及技術、高頻技術、太陽能技術和電信技術等高科技產業所需的 砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）和磷化鎵（GaP）晶體而量身打造。 VGF垂直梯度凝固法，又稱為“定向凝固法”或“布里奇曼晶體生長法”，是晶體生長主要方法之一，可用於研發部門的技術研發。
工藝介绍
將多晶原料裝入底部有籽晶的坩堝中，透過電阻加熱器將原料加熱使其熔化。 設定溫度區，以便原料優先在坩堝中熔化，籽晶也會部分熔化。 然後相對於坩堝，對溫度區進行移動，既可以透過機械方式移動坩堝/加熱器，又可以透過控制不同加熱器元件來改變溫度區。 熔體最開始會在較低的區域逐漸冷卻，隨著熔體結晶，晶體在坩堝中開始生長。 受熱區緩慢向上移動，這意味著凝固前緣也緩慢向上移動。 結晶速度取決於溫度區域移動的速度。
VGF垂直梯度凝固法可用於工業生產砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）和磷化鎵（GaP）等晶體，生產的晶體可被光電學（LED和雷射系統）、半導體技術、高 頻技術、太陽能技術和電信技術等多個高科技產業廣泛應用。
應用
PVA TePla模組化的Kronos系統，可幫助工業公司高效生產複合半導體晶體，如：砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、鍺和氟化鈣（CaF2）。
PVA MultiCrystallizer系統，專為制取光伏產業所必需的多晶矽錠而量身打造