物理氣相傳輸（PVT）
物理氣相傳輸法是透過物理昇華現像在籽晶上生長晶體的方法，此方法是由Lely法改良而來。 如今，PVT製程被認為是碳化矽單晶生長的標準方法。 憑藉出色的性能，使用 PVT 製程生產的晶體主要用於半導體產業（半導體材料）和微電子產業等研發領域。
工藝
透過PVT工藝，使多晶碳化矽（SiC）在高溫（1,800 - 2,600℃）和低壓真空環境下的源頭進行昇華。 由此產生的矽和碳顆粒在載氣（如惰性氣體：氬氣）中經過自然傳輸機制被輸送到較冷的籽晶中，透過過飽和狀態而產生結晶。 與CVD方法相比，PVT製程不與載氣發生化學反應。 籽晶通常位於坩堝的頂部，以防止掉落的顆粒造成污染。
應用
PVA TePla旗下 PVT-系列系統是專為半導體產業和研發領域生產碳化矽晶體而設計的。