高溫化學氣相沉積法 (HTCVD)
HTCVD製程是碳化矽晶體生長的重要方法，可用於製成低開關損耗的肖特基二極體以及藍色發光二極體。 碳化矽作為新一代半導體材料的核心，具有耐高溫、耐高壓、耐大劑量電離輻射等優越性能，被廣泛應用於製造耐高溫抗輻射電子裝置、半導體裝置和真空管中。 得益於良好的導熱性特點，碳化矽也被用作其他半導體的基板材料。
工藝介绍
經過氣相化學反應後，固體生成物會沉積在基板材料的熱表面上。 為了生成碳化矽晶體，必須要有反應源氣體化合物的存在，這使得碳化矽可以在特定的反應溫度下繼續生長。 用於化學氣相的HTCVD法在要塗層的基板材料表面上涉及至少一種化學反應，為了確保表面反應優先於氣相中的競爭反應，進而防止固定顆粒的形成，化學氣相沉積過程通常在低壓 下進行。
應用
PVA TePla HTCVD系列系統專為生產高純度碳化矽而量身打造，可廣泛應用於半導體、電力電子和光電子等領域。