區熔法工藝（FZ）
區熔法工藝，又被稱為“區域熔煉”，是生產高純度單晶矽的最佳方法。 高純度單晶矽是生產高性能電子產品、電力電子裝置、微系統技術和半導體技術的重要材料之一，廣泛應用於多晶矽產業、太陽能產業和研發部門。 相較於使用石英坩堝的生產工藝，區熔法工藝（FZ）的優點在於晶體暴露在氧氣污染中的程度要小得多；並且由於無需使用石英坩堝，額外耗材成本也得到大大降低（注意：石英 坩堝只能使用一次）。
工藝介紹
在可控制氣氛的爐腔內，將清洗乾淨的多晶矽棒（原料棒）安裝在高頻感應線圈的上方。 當高頻電流被引入到矽棒非常接近其表面時，矽棒底部就會在一個無接觸的過程中開始熔化。 緩慢旋轉矽棒，確保盡可能均勻熔化。 熔區與位於線圈下方的單晶籽晶熔接，熔接後的矽棒經由線圈中間的小孔向上移動。 當籽晶與原料棒液體底端相接觸時，籽晶就會一邊旋轉，一邊緩慢地向下移動。 這樣單晶晶體就會開始在籽晶上生長，並遵循籽晶晶體結構和方向。 由於原料棒從上方緩慢進入並開始熔化，液體區域得以保持，而單晶將繼續在籽晶上生長。
矽芯爐的工作原理與區熔系統相似。 它是透過將一根粗厚的多晶矽棒（原料棒）安裝在高頻感應線圈的下方。 當高頻電流被引入到矽棒非常接近其表面時，矽棒頂部就會在一個無接觸的過程中開始熔化。 多個多晶籽晶透過線圈上的小孔從上方插入熔區。 然後籽晶被向上拉起，並拉出多根長度為數米，直徑為6-10毫米的矽芯晶體。 同時，原料棒以慢速從下方進入。 此外，也可以透過添加擴散到熔體中的氣體物質進行摻雜。
原料棒是在西門子開發的製造多晶矽的製程中而產生的（加工）產品。 在矽芯爐中可以產生大量的矽芯晶體，而這些矽芯晶體可作為西門子下游製程的籽晶使用。
應用
PVA TePla區熔系統，最大限度助您生產符合特定需求的高純度晶體。
關於我們區熔法技術