直拉法工藝 (Cz)
直拉法製程（Cz），又稱為“晶體提拉法”或“提拉法”，是半導體晶體生長的主要方法。 在這個過程中，矽（Si）首先被熔化，然後以可控的方式凍結成結晶狀態。 直拉製程的優點在於速度快，可控程度高。 如今，使用直拉法製程（Cz）製備高純度單晶矽晶體已被廣泛應用於太陽能產業及半導體產業（電腦積體電路領域及微系統技術領域）中，例如用於製造積體電路、電晶體、感測器 及矽光電池等。 此外，直拉法製程還能幫助顧客以高效率的速度生產出高品質的晶體。
工藝介绍
首先，將高純度多晶矽放置在單晶提拉系統中的石英坩堝中，然後使用電阻加熱器在可控氣氛（氬氣）下對多晶矽進行加熱熔化。 當熔體的溫度穩定下來（熔點約1412℃），就將旋轉的單晶矽籽晶插入熔體。 輕微的溫度下降熔體就會在籽晶上結晶。 慢慢向上提拉籽晶，掛在籽晶上的單晶矽棒就會開始形成。 調節提拉速度及溫度，使矽單晶能夠以恆定的直徑進行生長（注意：矽單晶的方向及結構與籽晶相同）。
應用
PVA TePla EKZ系列系統專為Cz製程量身打造，專注於生產高性能、高品質的矽單晶。