物理氣相沉積系統 （PVT）

作為生產碳化矽材料的重要方法，此物理氣相傳輸系統具有以下特點： 

• 產品組合包括標準化的系統，同時也提供客制化的解決方案。 
• 該系統採用緊湊型的產品設計理念，在泵和電源方面為您提供更有彈性的選擇。 
• 透過廣泛的配件選擇以及高度的自動化，此系統可實現工藝高複製性和提高生產率。 
• PVA TePla 透過為客戶提供特定製程控制系統，例如半導體產業常見的製造執行系統（MES）的介面，讓應用更具彈性。 
• 客戶能夠直接聯絡PVA TePla的專家，隨時對工藝製作過程中可能發生的意外或變化進行即時的修正、調整和系統優化。 

多年來，物理氣相傳輸（PVT）工藝在業界已成為生產寬禁帶半導體材料碳化矽單晶的標準方法。在此過程中，SiC 源材料，通常是 SiC 粉末，在超過 2000°C 的溫度下透過昇華轉化為氣相，然後在已有籽晶上，從氣體成分凝華形成SiC單晶。 

隨著可再生能源的快速發展，移動應用對於電力驅動的需求也日益增長，且高效率和輕質的電力電子設備正在市場上持續擴展。雖然矽具有幾乎理想的微電子學特性，但在當前的電子級應用中，該材料系統正逐漸接近其物理極限。相較於矽，碳化矽擁有更大的禁帶帶隙、更高的擊穿場強和更高的熱導率，所以此材料系統已成為製造高達千伏範圍的電子器件的最佳選擇。 

透過SiCma產品組合，PVA TePla 這十多年一直致力於SiC單晶的生產和研究，立志將其發展為成功、符合商業標準並且可成為自由應用於PVT系統的材料之一。 

在許多科學和工業領域的客戶中，PVA TePla的物理氣相傳輸系統已經多次證明了自身實力。我們將持續不斷的開發，並與工業界和科學界的合作夥伴的深入合作，確保PVT系統始終符合當前SiC產業的嚴苛要求。