FZ區熔系統

PVA的FZ區熔系統具有獨特的產業前瞻性,致力於為半導體產業提供全面的解決方案,我們所具備的優勢如下: 

  • PVA TePla 在收購丹麥 Haldor Topsoe 公司後,在區熔(FZ)系統設計領域擁有數十年的專業設計經驗。 

  • PVA TePla 與高頻發生器領域的技術領先企業長期合作,透過選擇與相應FZ區熔系統相匹配的電源,確保系統的最佳性能。 

  • PVA TePla 提供適用於關鍵部件(例如:摻雜氣體系統或再冷卻系統)的全面解決方案。 

  • PVA TePla 透過與德國最著名的研究機構的合作,在系統設計、自動化和工藝開發領域皆積極追求持續發展。 

  • PVA TePla 的產品在成本效益和可持續性方面皆優於競爭對手的工藝。 

 

區熔(FZ)技術作為提純方法,為生產高電阻率的超純矽單晶提供了技術可行性,可應用於高性能電子和半導體技術領域。其另一優點是可以從氣相中連續摻入,進而讓在整個晶體的電阻率沿長度方向保持一致。因此,幾乎可以在整個晶體上實現所需的電性能均勻分布。由於電荷載流子的高壽命和極低的氧含量(無坩堝工藝),FZ晶體同樣也適用於光伏產業。 

區熔(FZ)技術作為提純方法,與CZ直拉工藝等競爭方法相比,FZ工藝的優點在於只需要熔化靠近感應線圈的一小部分晶體,無需使用石英坩堝(每爐次消耗一個),即可實現高拉速,因此不僅降低了耗材成本,同時還節省了能源成本。此外,不管是從矽還是其他合適的材料中提取的晶體,都可以透過多次處理,大幅提升純度。 

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區熔系統概覽

  • FZ-14 區熔晶體生長系統

    FZ-14 區熔晶體生長系統,專為直徑達100毫米(4英吋)單晶矽的工業生產所設計。依據源棒的尺寸,可以拉出長度達1. 1米的晶體。在此過程中,可透過攝影系統來監測晶體的直徑和液體區的高度。此外,這套系統的上部主軸和線圈均具備自動定位功能。這套系統採用無接觸熔化工藝,透過使用渦輪分子泵和高純度氬氣作為工藝氣體,創造高度極限真空環境,有效地防止工藝過程中的污染,同時還能以可控方式引入氮氣到工藝爐體。 

    PVA TePla為您提供更多個性化選擇,包括用於摻雜的氣體摻雜系統、封閉式去離子冷卻水系統、原料棒的修整器和調整籽晶方向的系統。 

     

    產品資訊概覽 

    材料:矽 

    晶體  
    晶體 1,100 mm
    晶體拉動長度: 長達100 mm (4″)
    晶體直徑: 2.5 x 10-5 mbar
    極限真空度: 0.5 bar(g)
       
       
    發電機    
    輸出電壓: 30 kW
    頻率: 2.4 MHz
     
    上軸 
    進料速度: 最高30 mm/min
    上部旋轉: 最高35 rpm
    下軸  
    拉動速度: 最高 30 mm/min
    下部旋轉: 最高 30 rpm
       
       
    尺寸規格  
    高度 6,280 mm
    寬度:   2,750 mm
    深度: 3,000 mm
    重量(總): 約 4,900 kg
  • FZ-14M(G) 區熔晶體生長系統

    FZ-14M(G)區熔晶體生長系統,專為製備單晶矽晶體樣品所設計開發,用於工業多晶矽生產中的材料分析。在生產過程中的小型多晶體樣品,在氬氣環境中感應熔化,隨後在籽晶上結晶,形成單晶,然後進行光譜分析,以檢測和記錄所生產的多晶矽品質。該系統採用無接觸熔化工藝,透過使用渦輪分子泵和超純氬氣作為工藝氣體,創造高極限真空環境,有效地防止了工藝過程中的污染。 

    FZ-14M(G) 區熔晶體生長系統能在線圈下放置顆粒矽料,利用籽晶將熔融的顆粒矽拉出以用於材料分析的小單晶棒,在拉制過程中,顆粒矽容器和籽晶以相反方向旋轉。此外,上主軸還可以在X或Y方向移動。 

     

    產品資訊總覽: 

    材料:矽 

    晶體   
    晶體拉動速度 350 mm
    晶體直徑: 最長可達 25 mm
    最後真空度: 2.5 x 10-5 mbar
    最大過壓: 2 bar(g)
       
       
    發電機   
    輸出電壓: 15 kW
    頻率: 2.4 MHz (FZ-14M)
     
    上軸 
    進料速度: 最高 30 mm/min
    上部旋轉: 最高 30 rpm
    下軸  
    拉動速度: 最高 30 mm/min
    下部旋轉: 最高 30 rpm
       
       
    尺寸規格  
    高度: 3,000 mm
    寬度: 1,020 mm
    深度 1,640 mm
    面積(總): 1,800 mm x 4,000 mm
    重量(總):   約2,500 kg
  • FZ-30和FZ-35 區熔晶體生長系統

    FZ-30和FZ-35區熔晶體生長系統,專為直徑達200毫米(8英吋)的單晶矽晶體的工業生產所設計。依據源棒的尺寸,可以拉出長度為2000毫米的晶體。在此過程中,可透過攝影系統來監測晶體的直徑和液體區的高度。該系統採用無接觸熔化工藝,透過使用渦輪分子泵和超純氬氣作為工藝氣體,創造高極限真空環境,有效地防止了工藝過程中的污染。 

    在FZ-30和FZ-35區域晶體生長系統中,能夠分別以高達3 bar和5 bar的超壓產生氬氣氣體,用以培育大晶體。此外,上主軸和線圈都能具備自動定位功能。在FZ-30中,上主軸可以在X或Y方向上移動。兩種系統類型,都能夠將氮氣以受控方式引入工藝爐體。PVA TePla為您提供更多個性化選擇,例如用於摻雜晶體的氣體摻雜系統、封閉式去離子冷卻水系統,源棒的修整器和調整籽晶方向的系統。 

     

     

    產品資訊概覽 

     

    材料:矽 

    晶體   
    晶體拉動速度: 2,700 mm
    晶體直徑: 長達 200 mm (8")
    極限真空度: 2.5 x 10-5 mbar
    最大過壓: FZ-30: 3.0 bar(g)
    FZ-35: 5.0 bar(g)
       
    發電機
    輸出電壓: 120 kW
    頻率: 2.4 MHz
       
    上軸  
    進料速度: 高達 30 mm/min
    上部旋轉: 高達 30 rpm
    下軸  
    拉动速度: 最高 30 mm/min
    下部旋轉: 最高 30 rpm
       
    尺寸規格  
    高度: 11,550 mm
    寬度: 3,800 mm
    深度: 4,050 mm
    面積(總計): 5,000 x 6,000 mm
    重量(總計): 約14,000 kg
  • SR110細桿式提拉機

    SR110矽芯爐的運作方式與區熔系統相似,這套系統使用一個在高頻感應線圈下直徑為100毫米的多晶矽棒(源棒)。依據矽棒長度,在多個拉動工藝中製造出特定數量的矽芯,接著這些矽芯用作西門子下遊工藝中的原棒。透過隔離閥將接收爐體與工藝爐體分開,能夠取出已完成的矽芯,並立即開始下一個工藝。透過引入擴散到熔體中的工藝氣體,即可對細桿進行摻雜處理。 

    改良後的矽芯爐的設計採用兩個直徑約為50毫米的源桿,而且可從每根源桿上拉出矽芯。 

     

    產品資訊概覽 

     

    材料:矽 

    細桿    
    長度: 最長3200毫米 
    直徑: 大約8毫米
       
       
    源桿   
    長度: 最長 1,000 mm
    直徑: 100 mm (4")
    極限真空度: 5 x 10-2 mbar
    最大過壓: 0.35 bar(g)

    發電機 
    輸出電壓: 30 kW
    頻率: 2.8 MHz
       
       
    上拉式進料  
    拉動速度: 最高60毫米/分鐘
    下拉式進料  
    拉動速度: 最高 10 mm/min
    轉速: 高達 20 rpm

    尺寸规格
     
    高度: 7,300 mm
    寬度: 1,820 mm
    深度: 1,250 mm
    佔地面積(總計): 2,500 mm x 2,800 mm
    重量(總計): 約6,000 kg